Tatris
  • 8 800 100-700-1
  • |
  • i@tatris.ru

Запуск производства высокопроизводительных накопителей Samsung

Новые 256Гб V-NAND модули флеш-памяти отличаются максимальной скоростью передачи данных в отрасли и впервые используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс

Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в технологии производства устройств памяти, объявил о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными (Гб) V-NAND модулями флеш-памяти Samsung достигла 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника. Энергоэффективность новых V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 вольт. Новые V-NAND модули также отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд (μs), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом время реакции на считывание сигнала было значительно сокращено – до 50 микросекунд (μs).

V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения включают 90 слоев ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки (максимальное количество слоев в отрасли) сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров (нм) содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных. Такая инновационная технология производства модулей памяти является результатом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новых производственных процессов. Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более, чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высотку слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечила устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки. «Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить быстро растущему премиум сегменту мирового рынка наиболее совершенные микросхемы NAND памяти, – комментирует Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics. Кроме выдающихся достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные (Tб) и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения». Учитывая растущие требования рынка, компания Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с высокой плотностью записи, используемых в таких критически важных сферах, как производство суперкомпьютеров, промышленных серверов и премиальных смартфонов.

    13 июля 2018

Поделиться:

Ещё свежих новостей

18 июля 2018
Дисплеи Nec с разрешением 4K UHD серии V

Расширение возможностей отображения визуального содержимого в цифровых рекламно-информационных системах


18 июля 2018
Камеры видеонаблюдения Wisenet дают изображение высокого качества во влажной среде

QNE-6080RV(W) и QNE-7080RV(W) не имеют прозрачного купола и обеспечивают ясное изображение при любой влажности


18 июля 2018
Первое «умное» зарядное устройство Panasonic продлит жизнь аккумуляторов

Расширение модельного ряда связано с растущими потребностями пользователей аккумуляторов eneloop


17 июля 2018
Konica Minolta купила испанского поставщика ИТ-услуг Grupo Meridian

Grupo Meridian предоставляет услуги ИТ-консалтинга и аутсорсинга, обеспечения информационной безопасности и разработки программного обеспечения


17 июля 2018
Официальное сообщение 2N о полной совместимости с решениями Broadsoft

Продукты 2N, поддерживающие протокол SIP, успешно прошли процесс сертификации BroadSoft

Похожие новости